SINTESI DEL PROGETTO
- fonte:
Open Data PON REC
Il progetto è finanziato attraverso lo strumento agevolativo 'Contratto di Sviluppo', che sostiene la realizzazione d'investimenti strategici ed innovativi per il rafforzamento della struttura produttiva del Paese. In particolare, il 'Contratto di Sviluppo' finanzia programmi di investimento produttivo e programmi di ricerca e sviluppo ad essi connessi, nei settori Industria, Turismo e Commercio. L'obiettivo generale che si intende perseguire attraverso il Contratto di Sviluppo è quello di introdurre step innovativi di processo nell'attuale tecnologia dei 200 mm dello stabilimento di Catania della STMicroelectronics srl, società che produce semiconduttori utilizzati per l'elettronica di consumo nel settore automotive, nelle periferiche per computer, nella telefonia cellulare e nel settore industriale. L'oggetto del programma d'innovazione di processo, proposto da STMicroelectronics srl congiuntamente con il Consiglio Nazionale delle Ricerche, è la piattaforma multifunzionale di processo denominata 'BCD', in quanto integra le funzionalità analogiche tipiche dei transistori bipolare, con quelle logiche dei CMOS e con le funzionalità di potenza dei DMOS. Nello specifico, il programma di sviluppo industriale è articolato in: - un progetto di investimento produttivo finalizzato all'ampliamento dello stabilimento, sito in Catania, destinato alla produzione di dispositivi a semiconduttore su substrati di silicio, con particolare riguardo alla lavorazioni da 20mm, introducendo step innovativi di processo che consentiranno di modificare il mix di produzione con prodotti ad elevato margine di contribuzione; - un progetto di ricerca e sviluppo che ha quale obiettivo il miglioramento, in termini di performance, di costi e tempi di ciclo, dei dispositivi a semiconduttore. Le attività di R&S si svolgeranno presso il sito produttivo STMicroelectronics srl di Catania e presso il Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR - IMM) di Catania. Il Progetto di ricerca industriale e sviluppo sperimentale procede parallelamente al programma industriale e si articola nelle seguenti tre tematiche: - Sviluppo e ottimizzazione della tecnologia Rame Re-Distribution Layer (Cu RDL) per piattaforme BCD avanzate e per dispositivi e moduli di potenza. L'innovazione da introdurre in tale tematica consiste nella sostituzione dell'attuale ultimo livello di metallizzazione basato su AlCu con la più performante soluzione tecnologica Cu-RDL (Re-Distribution Layer); - Integrazione di un micro-trasformatore nella piattafroma BCD. L'innovazione da introdurre consiste nell'inserimento nella piattaforma BCD di un nuovo componente passivo per il trasporto di potenze elettriche tra due porte disaccoppiate galvanicamente; - GaN su piattaforme BCD. L'innovazione da introdurre consiste nell' integrazione nella piattaforma BCD di transistor ad alta mobilità elettronica HENTs in nitrurio di gallio.
